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                    K6F1616R6A-EF70 [SAMSUNG]

                    Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 7.50 X 9.50 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48;
                    K6F1616R6A-EF70
                    元器件型號: K6F1616R6A-EF70
                    生產廠家: SAMSUNG SEMICONDUCTOR    SAMSUNG SEMICONDUCTOR
                    描述和應用:

                    Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 7.50 X 9.50 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48

                    靜態存儲器 內存集成電路
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                    型號參數:K6F1616R6A-EF70參數
                    是否Rohs認證 不符合
                    生命周期Obsolete
                    零件包裝代碼BGA
                    包裝說明VFBGA, BGA48,6X8,30
                    針數48
                    Reach Compliance Codecompliant
                    ECCN代碼3A991.B.2.A
                    HTS代碼8542.32.00.41
                    風險等級5.86
                    最長訪問時間70 ns
                    I/O 類型COMMON
                    JESD-30 代碼R-PBGA-B48
                    JESD-609代碼e0
                    長度9.5 mm
                    內存密度16777216 bit
                    內存集成電路類型STANDARD SRAM
                    內存寬度16
                    功能數量1
                    端子數量48
                    字數1048576 words
                    字數代碼1000000
                    工作模式ASYNCHRONOUS
                    最高工作溫度85 °C
                    最低工作溫度-40 °C
                    組織1MX16
                    輸出特性3-STATE
                    封裝主體材料PLASTIC/EPOXY
                    封裝代碼VFBGA
                    封裝等效代碼BGA48,6X8,30
                    封裝形狀RECTANGULAR
                    封裝形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
                    并行/串行PARALLEL
                    峰值回流溫度(攝氏度)NOT SPECIFIED
                    電源1.8/2 V
                    認證狀態Not Qualified
                    座面最大高度1 mm
                    最大待機電流0.000008 A
                    最小待機電流1 V
                    子類別SRAMs
                    最大壓擺率0.025 mA
                    最大供電電壓 (Vsup)2.2 V
                    最小供電電壓 (Vsup)1.65 V
                    標稱供電電壓 (Vsup)1.8 V
                    表面貼裝YES
                    技術CMOS
                    溫度等級INDUSTRIAL
                    端子面層Tin/Lead (Sn/Pb)
                    端子形式BALL
                    端子節距0.75 mm
                    端子位置BOTTOM
                    處于峰值回流溫度下的最長時間NOT SPECIFIED
                    寬度7.5 mm
                    Base Number Matches1
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