THMR2N4Z-6 [TOSHIBA]

IC 64M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM;


元器件型號：	THMR2N4Z-6
生產廠家：	TOSHIBA SEMICONDUCTOR
描述和應用：	IC 64M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM MODULE, DMA184, DIMM-184, Dynamic RAM 時鐘動態存儲器內存集成電路
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型號參數：THMR2N4Z-6參數
生命周期	Obsolete
零件包裝代碼	DIMM
包裝說明	DIMM, DIMM184,40
針數	184
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代碼	EAR99
HTS代碼	8542.32.00.32
風險等級	5.84
訪問模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最長訪問時間	53 ns
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH
最大時鐘頻率 (fCLK)	600 MHz
I/O 類型	COMMON
JESD-30 代碼	R-XDMA-N184
長度	133.35 mm
內存密度	1073741824 bit
內存集成電路類型	RAMBUS DRAM MODULE
內存寬度	16
功能數量	1
端口數量	1
端子數量	184
字數	67108864 words
字數代碼	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
組織	64MX16
輸出特性	3-STATE
封裝主體材料	UNSPECIFIED
封裝代碼	DIMM
封裝等效代碼	DIMM184,40
封裝形狀	RECTANGULAR
封裝形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
電源	1.8/2.5,2.5 V
認證狀態	Not Qualified
座面最大高度	34.93 mm
自我刷新	YES
子類別	DRAMs
最大供電電壓 (Vsup)	2.63 V
最小供電電壓 (Vsup)	2.37 V
標稱供電電壓 (Vsup)	2.5 V
表面貼裝	NO
技術	CMOS
端子形式	NO LEAD
端子節距	1 mm
端子位置	DUAL
寬度	4.8 mm
Base Number Matches	1